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AOW11N60

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MOSFET N-CH 600V 11A TO262

AOW11N60 Technisches Datenblatt

compliant

AOW11N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.64000 $1.64
10 $1.46800 $14.68
100 $1.18260 $118.26
500 $0.94170 $470.85
776 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1990 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 272W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

APT8056BVRG
IPI60R299CP
SQJ858AEP-T1_GE3
DMN2058UW-13
RSJ800N06TL
IPI072N10N3 G
BUK964R2-60E,118
BSH202,215
BSH202,215
$0 $/Stück

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