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AOW7S60

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MOSFET N-CH 600V 7A TO262

AOW7S60 Technisches Datenblatt

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AOW7S60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.95030 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 372 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

STD9N60M2
STD9N60M2
$0 $/Stück
DI040N03PT-AQ
IXFH70N20Q3
IXFH70N20Q3
$0 $/Stück
APT25M100J
IRL540STRLPBF
MSC100SM70JCU2
BUK9606-75B,118
FCP20N60
FCP20N60
$0 $/Stück

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