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FDB603AL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDB603AL Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB603AL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.12000 $1.12
500 $1.1088 $554.4
1000 $1.0976 $1097.6
1500 $1.0864 $1629.6
2000 $1.0752 $2150.4
2500 $1.064 $2660
39200 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK9832-55A/CUX
STD95NH02LT4
IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3
$0 $/Stück
APT20M22JVRU3
PCP1405-TD-H
PCP1405-TD-H
$0 $/Stück
SISS12DN-T1-GE3
QS5U17TR
QS5U17TR
$0 $/Stück
IXTA80N075L2-TRL
IXTA80N075L2-TRL
$0 $/Stück

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