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TPH1110FNH,L1Q

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MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP

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TPH1110FNH,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.74760 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 112mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFR32N100Q3
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$0 $/Stück
APT20M22JVRU3
PCP1405-TD-H
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$0 $/Stück
SISS12DN-T1-GE3
QS5U17TR
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$0 $/Stück
IXTA80N075L2-TRL
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DMN2029UVT-13
NTTFS015N04CTAG
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