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FDD6672A

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MOSFET N-CH 30V 65A TO252

FDD6672A Technisches Datenblatt

compliant

FDD6672A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
69410 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5070 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SQ2303ES-T1_GE3
R8009KNXC7G
IXTN200N10T
IXTN200N10T
$0 $/Stück
DIT100N10
STB28NM60ND
STD3N80K5
STD3N80K5
$0 $/Stück
FDT86113LZ
FDT86113LZ
$0 $/Stück
HUF75545S3ST
HUF75545S3ST
$0 $/Stück
SI4434ADY-T1-GE3

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