Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDD6690S

FDD6690S

FDD6690S

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6690S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDD6690S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
2500 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2010 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SISS27DN-T1-GE3
IXTH48P20P
IXTH48P20P
$0 $/Stück
IXFP8N65X2
IXFP8N65X2
$0 $/Stück
IXTP12N50PM
IXTP12N50PM
$0 $/Stück
STP33N60DM2
FCPF190N65S3R0L
FCPF190N65S3R0L
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.