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HUFA75637P3

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MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3

HUFA75637P3 Technisches Datenblatt

nicht konform

HUFA75637P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
1472 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 155W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN4R0-30YLDX
SI4626ADY-T1-GE3
FDMS8018
FDMS8018
$0 $/Stück
PMN25EN,115
PMN25EN,115
$0 $/Stück
BUK7D36-60EX
CSD19532KTTT
C3M0040120J1
C3M0040120J1
$0 $/Stück
STP6N60M2
STP6N60M2
$0 $/Stück

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