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PMN25EN,115

PMN25EN,115

PMN25EN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP

PMN25EN,115 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN25EN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.08000 $0.08
500 $0.0792 $39.6
1000 $0.0784 $78.4
1500 $0.0776 $116.4
2000 $0.0768 $153.6
2500 $0.076 $190
6000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 492 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

BUK7D36-60EX
CSD19532KTTT
C3M0040120J1
C3M0040120J1
$0 $/Stück
STP6N60M2
STP6N60M2
$0 $/Stück
IXFH30N50P
IXFH30N50P
$0 $/Stück
IRFB7546PBF

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