Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRF122

IRF122

IRF122

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF122 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF122 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
1790 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMN4020LFDE-7
NTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1G
$0 $/Stück
SIR680DP-T1-RE3
SQD50N06-09L_GE3
STF15N65M5
STF15N65M5
$0 $/Stück
SI4812BDY-T1-GE3
STP5N60M2
STP5N60M2
$0 $/Stück
SIRS700DP-T1-RE3
FDMC86324
FDMC86324
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.