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SI4812BDY-T1-GE3

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SI4812BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

nicht konform

SI4812BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
290 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

STP5N60M2
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$0 $/Stück
SIRS700DP-T1-RE3
FDMC86324
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$0 $/Stück
DMP6110SFDFQ-7
FQA30N40
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$0 $/Stück
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$0 $/Stück
IRFW740BTM
EPC2024
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