Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRF654BFP001

IRF654BFP001

IRF654BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

IRF654BFP001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
2935 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STB80NF55L-08-1
STP80N6F6
STP80N6F6
$0 $/Stück
DMN4800LSSL-13
FDB8860
FDB8860
$0 $/Stück
IRFR120PBF
IRFR120PBF
$0 $/Stück
IXTH75N10L2
IXTH75N10L2
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.