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IRF723

IRF723

IRF723

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF723 Technisches Datenblatt

compliant

IRF723 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
79897 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK752R3-40E,127
DMP2006UFGQ-13
DMT10H9M9SK3-13
FCP9N60N-F102
FCP9N60N-F102
$0 $/Stück
SCTH60N120G2-7
IRF9520
IRF9520
$0 $/Stück
DMN10H099SFG-13
NVTFWS030N06CTAG
NVTFWS030N06CTAG
$0 $/Stück

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