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IRF740R

IRF740R

IRF740R

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF740R Technisches Datenblatt

compliant

IRF740R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

2SK3745LS
2SK3745LS
$0 $/Stück
2SK2095N
2SK2095N
$0 $/Stück
IXUC200N055
IXUC200N055
$0 $/Stück
SIS626DN-T1-GE3
IRFS23N20D
SIA425EDJ-T1-GE3
STF6NM60N
STF6NM60N
$0 $/Stück
IPI09N03LA
PHD82NQ03LT,118
PHD82NQ03LT,118
$0 $/Stück

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