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SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8

compliant

SIS626DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1925 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFS23N20D
SIA425EDJ-T1-GE3
STF6NM60N
STF6NM60N
$0 $/Stück
IPI09N03LA
PHD82NQ03LT,118
PHD82NQ03LT,118
$0 $/Stück
PMG85XP125
PMG85XP125
$0 $/Stück
IRFS4610PBF
STF11N65K3
STF11N65K3
$0 $/Stück

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