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IRFS634B

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS634B Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS634B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.17000 $0.17
500 $0.1683 $84.15
1000 $0.1666 $166.6
1500 $0.1649 $247.35
2000 $0.1632 $326.4
2500 $0.1615 $403.75
41000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.1A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 4.05A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NDF04N62ZG
NDF04N62ZG
$0 $/Stück
SQJ128ELP-T1_GE3
STF16N60M2
STF16N60M2
$0 $/Stück
STP16N65M5
STP16N65M5
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-GE3
IXFR140N20P
IXFR140N20P
$0 $/Stück
SIHB24N65E-E3

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