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ISL9N308AP3

ISL9N308AP3

ISL9N308AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

ISL9N308AP3 Technisches Datenblatt

compliant

ISL9N308AP3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
3200 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8Ohm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

R6524KNZ4C13
IRF6668TRPBF
RM110N150HD
RM110N150HD
$0 $/Stück
RM15N650T2
RM15N650T2
$0 $/Stück
R6524KNX3C16
SIHH240N60E-T1-GE3
IRFR3303TRPBF
SIB406EDK-T1-GE3

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