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NDB6030L

NDB6030L

NDB6030L

N-CHANNEL POWER MOSFET

NDB6030L Technisches Datenblatt

compliant

NDB6030L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.58000 $1.58
500 $1.5642 $782.1
1000 $1.5484 $1548.4
1500 $1.5326 $2298.9
2000 $1.5168 $3033.6
2500 $1.501 $3752.5
580 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 52A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN3R3-40YS,115
FDMS86520
FDMS86520
$0 $/Stück
IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF
$0 $/Stück
SIR178DP-T1-RE3
IRL640STRRPBF
PMV250EPEAR
PMV250EPEAR
$0 $/Stück
RM10N100S8
RM10N100S8
$0 $/Stück

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