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NDB6030PL

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30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,

NDB6030PL Technisches Datenblatt

nicht konform

NDB6030PL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
25092 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1570 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI7617DN-T1-GE3
APT100F50J
STF19NM50N
STF19NM50N
$0 $/Stück
CSD17318Q2
CSD17318Q2
$0 $/Stück
NVMFS5C430NWFAFT3G
NVMFS5C430NWFAFT3G
$0 $/Stück
STW56N60DM2
APT38F50J
SIR870DP-T1-GE3

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