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RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S22N10SM Technisches Datenblatt

nicht konform

RF1S22N10SM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
3853 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK9M43-100EX
IPW65R310CFD
SIRA18BDP-T1-GE3
STP4N150
STP4N150
$0 $/Stück
FDMT800100DC
FDMT800100DC
$0 $/Stück
2N7008-G
2N7008-G
$0 $/Stück
FDS2170N7

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