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RF1S70N03

RF1S70N03

RF1S70N03

MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA

SOT-23

RF1S70N03 Technisches Datenblatt

nicht konform

RF1S70N03 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.48000 $1.48
500 $1.4652 $732.6
1000 $1.4504 $1450.4
1500 $1.4356 $2153.4
2000 $1.4208 $2841.6
2500 $1.406 $3515
789 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262AA
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

STP18N60M6
STP18N60M6
$0 $/Stück
RSQ015P10HZGTR
RM2306E
RM2306E
$0 $/Stück
FQB7N60TM
FQB7N60TM
$0 $/Stück
IXFH120N30X3
IXFH120N30X3
$0 $/Stück
FQPF7N60
FQPF7N60
$0 $/Stück
DMNH4011SK3Q-13
SQ3419EV-T1_GE3
DMTH41M8SPSQ-13
STP14NK50ZFP

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