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SI6463DQ

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P-CHANNEL MOSFET

SI6463DQ Technisches Datenblatt

nicht konform

SI6463DQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
4850 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5045 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SPB03N60C3
FDPF12N60NZ
FDPF12N60NZ
$0 $/Stück
PMV30UN,215
PMV30UN,215
$0 $/Stück
IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
$0 $/Stück
CMS03N06T-HF
SIHJ8N60E-T1-GE3
SIRA60DP-T1-GE3
SCT20N120
SCT20N120
$0 $/Stück

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