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SIHJ8N60E-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8

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SIHJ8N60E-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.12377 -
6,000 $1.08477 -
8 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 520mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 754 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SIRA60DP-T1-GE3
SCT20N120
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$0 $/Stück
BUK7Y14-80EX
IXKT70N60C5-TUB
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$0 $/Stück
BSP125L6327
FDMS86350
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$0 $/Stück
NTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5G
$0 $/Stück
FCPF400N80Z
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$0 $/Stück
SQM25N15-52_GE3
NTF3055-160T3
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