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SSR1N60BTF

SSR1N60BTF

SSR1N60BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSR1N60BTF Technisches Datenblatt

nicht konform

SSR1N60BTF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
76000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 900mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 215 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NDF06N62ZG
NDF06N62ZG
$0 $/Stück
HUF76407D3ST
HUF76407D3ST
$0 $/Stück
STB20N65M5
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$0 $/Stück
FQU2N90TU-WS
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$0 $/Stück
FKV575
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SQJ464EP-T2_GE3

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