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SSW2N60BTM

SSW2N60BTM

SSW2N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSW2N60BTM Technisches Datenblatt

compliant

SSW2N60BTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
4632 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQP4N80
FQP4N80
$0 $/Stück
NVB150N65S3F
NVB150N65S3F
$0 $/Stück
RS3E095BNGZETB
SIHG039N60EF-GE3
STP21N90K5
STP21N90K5
$0 $/Stück
MCP87090T-U/MF
CSD18513Q5AT
IXTH16N10D2
IXTH16N10D2
$0 $/Stück

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