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DMG6402LDM-7

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MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

nicht konform

DMG6402LDM-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11798 -
6,000 $0.11083 -
15,000 $0.10368 -
30,000 $0.09510 -
75,000 $0.09152 -
7797 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 404 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.12W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-26
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

TPH3206PSB
TPH3206PSB
$0 $/Stück
DMN63D1LW-13
IRFR9010PBF
IRFR9010PBF
$0 $/Stück
IXTY01N100
IXTY01N100
$0 $/Stück
SI2316BDS-T1-BE3
BUK9Y12-55B,115

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