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SI2316BDS-T1-BE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SI2316BDS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y12-55B,115
TPS1101D
TPS1101D
$0 $/Stück
SUD08P06-155L-BE3
IRFI9Z34GPBF
IRFI9Z34GPBF
$0 $/Stück
FDMS3006SDC
FDMS3006SDC
$0 $/Stück
IRFPC60PBF
IRFPC60PBF
$0 $/Stück
STH320N4F6-6

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