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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.6V @ 500µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±18V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 720 pF @ 480 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 81W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
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