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DMN3008SFGQ-13

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MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

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DMN3008SFGQ-13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3690 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTY90N055T2
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SIA456DJ-T3-GE3
DMN3024SFG-7
NTTFS6H880NTAG
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RF1S45N03L
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NTMFS4931NT1G-IRH1
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NTMT125N65S3H
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