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DMN3030LSS-13

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DMN3030LSS-13

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

nicht konform

DMN3030LSS-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.20002 -
5,000 $0.18848 -
12,500 $0.17692 -
25,000 $0.16884 -
62,500 $0.16800 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 741 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SQJ423EP-T1_GE3
IXTR32P60P
IXTR32P60P
$0 $/Stück
FQD4N50TF
NTE2396A
NTE2396A
$0 $/Stück
APT53N60BC6
IPA65R190C7
PSMN6R5-80BS,118

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