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DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

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DMN61D8LQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.16850 -
30,000 $0.16080 -
50,000 $0.16000 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 470mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.74 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12.9 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4C302NT1G
NTMFS4C302NT1G
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FDP085N10A-F102
FDP085N10A-F102
$0 $/Stück
DMG2302UK-13
DIT085N10
R6030ENX
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$0 $/Stück
SMBF5460LT1
SMBF5460LT1
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DMP6110SVTQ-13

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