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DIT085N10

DIT085N10

DIT085N10

MOSFET, 100V, 85A, N, 61.9W

DIT085N10 Technisches Datenblatt

compliant

DIT085N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.38000 $7.38
500 $7.3062 $3653.1
1000 $7.2324 $7232.4
1500 $7.1586 $10737.9
2000 $7.0848 $14169.6
2500 $7.011 $17527.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3742 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

R6030ENX
R6030ENX
$0 $/Stück
SMBF5460LT1
SMBF5460LT1
$0 $/Stück
DMP6110SVTQ-13
SIHF12N60E-GE3
IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
$0 $/Stück
SIRA54DP-T1-GE3

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