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R6030ENX

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MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

R6030ENX Technisches Datenblatt

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R6030ENX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.88000 $4.88
10 $4.37900 $43.79
100 $3.58800 $358.8
500 $3.05440 $1527.2
1,000 $2.57600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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