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SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

compliant

SIHF12N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.54245 -
2,000 $1.44235 -
5,000 $1.39230 -
377 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
$0 $/Stück
SIRA54DP-T1-GE3
SQJA04EP-T1_BE3
IXFK24N100Q3
IXFK24N100Q3
$0 $/Stück
STB11N65M5
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$0 $/Stück
PMPB43XPE,115
NP60N04ILF-E1-AZ
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$0 $/Stück
FQP4N20L
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$0 $/Stück
SIR582DP-T1-RE3

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