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DMN90H2D2HCTI

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DMN90H2D2HCTI

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

nicht konform

DMN90H2D2HCTI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.01000 $2.01
50 $1.62680 $81.34
100 $1.43590 $143.59
500 $1.13584 $567.92
1,000 $0.91760 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1487 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ITO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Zugehörige Teilenummer

SIHG17N80AE-GE3
IRFPG40PBF
IRFPG40PBF
$0 $/Stück
RSH065N06GZETB
DMP4015SK3Q-13
RSJ650N10TL
FCH165N60E
FCH165N60E
$0 $/Stück

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