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DMP1012UCB9-7

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MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9

SOT-23

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DMP1012UCB9-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35541 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1060 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-WLB1515-9
Paket / Koffer 9-UFBGA, WLBGA
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Zugehörige Teilenummer

TN2130K1-G
IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/Stück
BUK7Y153-100EX
SQJ446EP-T1_BE3
RW1A020ZPT2R
PHB21N06LT,118
DN3135K1-G

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