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TN2130K1-G

TN2130K1-G

TN2130K1-G

MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

SOT-23

TN2130K1-G Technisches Datenblatt

nicht konform

TN2130K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49440 -
2322 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 85mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 25Ohm @ 120mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/Stück
BUK7Y153-100EX
SQJ446EP-T1_BE3
RW1A020ZPT2R
PHB21N06LT,118
DN3135K1-G
FDMC6675BZ
FDMC6675BZ
$0 $/Stück

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