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DMT3009LFVWQ-7

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MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

compliant

DMT3009LFVWQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.31108 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3.8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 823 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFX32N80P
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NTD4813N-1G
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BUK652R6-40C,127
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NTMFS4849NT1G
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IXFQ72N30X3
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