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DMT6012LFDF-7

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MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN

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DMT6012LFDF-7 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 785 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer 6-UDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

STP45N60DM6
CPH6341-M-TL-W
CPH6341-M-TL-W
$0 $/Stück
STD5N52K3
STD5N52K3
$0 $/Stück
FQPF33N10L
PSMN034-100PS,127
FDFMJ2P023Z
STY145N65M5
SQ3418EV-T1_GE3
STP150N3LLH6
SSU1N50BTU

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