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DMT615MLFV-7

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MOSFET N-CH 60V PWRDI3333

compliant

DMT615MLFV-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.21412 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Ta), 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1039 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.76W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SISH536DN-T1-GE3
SIHB180N60E-GE3
AUIRFB8409
2N7002HSX
2N7002HSX
$0 $/Stück
TN2501N8-G
IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3
$0 $/Stück
MMDF7N02ZR2
MMDF7N02ZR2
$0 $/Stück
STU2N105K5
STU2N105K5
$0 $/Stück

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