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DMTH6012LPSW-13

DMTH6012LPSW-13

DMTH6012LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI

compliant

DMTH6012LPSW-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.26987 $0.26987
500 $0.2671713 $133.58565
1000 $0.2644726 $264.4726
1500 $0.2617739 $392.66085
2000 $0.2590752 $518.1504
2500 $0.2563765 $640.94125
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 785 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 (Type Q)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/Stück
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/Stück
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/Stück
FDC697P
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/Stück
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3
DMT6006SPS-13

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