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DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

compliant

DMN6013LFGQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.37690 $0.3769
500 $0.373131 $186.5655
1000 $0.369362 $369.362
1500 $0.365593 $548.3895
2000 $0.361824 $723.648
2500 $0.358055 $895.1375
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2577 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIRA00DP-T1-RE3
DMT6006SPS-13
DMTH4014LFVW-13
G50N03J
G50N03J
$0 $/Stück
DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/Stück
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/Stück
RF4G100BGTCR

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