SIRA00DP-T1-RE3 Vishay Siliconix von ichome.com

new-10%

Teilenummer des Herstellers:SIRA00DP-T1-RE3

Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
3,000	$0.88364	-

Auf Lager: Inventory changes frequently.

Send Inquiry

Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	220 nC @ 10 V
vgs (max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	11700 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer	PowerPAK® SO-8