Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1.1A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 330mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 350 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 850mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
| Paket / Koffer | E-Line-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.