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AUIRF9952Q

AUIRF9952Q

AUIRF9952Q

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

AUIRF9952Q Technisches Datenblatt

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AUIRF9952Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A, 2.3A
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 190pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

FDS8928A
IRF3575DTRPBF
IRF7901D1TR
SI4830ADY-T1-E3
SI7270DP-T1-GE3
IRF7342QTRPBF
SI7844DP-T1-E3
FDW2520C
FDW2520C
$0 $/Stück

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