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BSS225H6327FTSA1

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MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89

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BSS225H6327FTSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.27048 -
2,000 $0.24881 -
5,000 $0.23437 -
10,000 $0.21993 -
25,000 $0.20982 -
50,000 $0.20877 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45Ohm @ 90mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 94µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 131 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT89
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

IRF7402TRPBF
FQD1N60TF
EKV550
EKV550
$0 $/Stück
IXTN62N50L
IXTN62N50L
$0 $/Stück
PSMN9R1-30YL,115
RM100N60T7
RM100N60T7
$0 $/Stück
MCH3377-TL-H
MCH3377-TL-H
$0 $/Stück

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