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EKV550

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MOSFET N-CH 50V 50A TO220

EKV550 Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTN62N50L
IXTN62N50L
$0 $/Stück
PSMN9R1-30YL,115
RM100N60T7
RM100N60T7
$0 $/Stück
MCH3377-TL-H
MCH3377-TL-H
$0 $/Stück
FQI11P06TU
SISS10DN-T1-GE3
DMP2070UQ-13

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