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IPA80R1K0CEXKSA2

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MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP

nicht konform

IPA80R1K0CEXKSA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.72000 $1.72
10 $1.55800 $15.58
100 $1.25190 $125.19
500 $0.97366 $486.83
1,000 $0.80675 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 785 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMP6110SFDFQ-13
ECH8411-TL-E
ECH8411-TL-E
$0 $/Stück
IXTK88N30P
IXTK88N30P
$0 $/Stück
DMP3030SN-7
SQJ412EP-T1_GE3
STD4NK100Z
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$0 $/Stück
IRFRC20TRLPBF-BE3
IXFK170N25X3
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$0 $/Stück
APT10035LFLLG
IRFR210BTM

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