Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 16mOhm @ 4A, 4V |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 21 nC @ 4 V |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1740 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
| Paket / Koffer | 8-SMD, Flat Lead |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.