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IPA80R650CEXKSA2

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MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F

nicht konform

IPA80R650CEXKSA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.20000 $2.2
10 $1.98400 $19.84
100 $1.59440 $159.44
500 $1.24008 $620.04
1,000 $1.02750 -
105 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 470µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIHG33N65EF-GE3
FDT86246L
FDT86246L
$0 $/Stück
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/Stück
SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/Stück
STS8N6LF6AG
SI2333DS-T1-GE3

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