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IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK

compliant

IPB08CNE8N G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 85 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.2mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 99 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6690 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NDS355N
IXFK90N20Q
IXFK90N20Q
$0 $/Stück
SI3457BDV-T1-E3
PMV48XP/MI215
PMV48XP/MI215
$0 $/Stück
IXFE55N50
IXFE55N50
$0 $/Stück
SI2372DS-T1-GE3
IRF2804STRR
IXFH32N50
IXFH32N50
$0 $/Stück
NTD5407NG
NTD5407NG
$0 $/Stück

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